IMB9AT110

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Spezifikation

Artikelnummer

IMB9AT110
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IMB9AT110.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SMT6
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-74, SOT-457
Andere Namen

IMB9AT110-ND
IMB9AT110TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

MB9

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IMB3AT110

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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