Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > IMB3AT110
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2275240IMB3AT110-Bild.LAPIS Semiconductor

IMB3AT110

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.116
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IMB3AT110
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMT6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-74, SOT-457
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    100 @ 1mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    MB3
IMB5AT108

IMB5AT108

Beschreibung: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
IMBD4148-E3-08

IMBD4148-E3-08

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IMB36656M12

IMB36656M12

Beschreibung: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Hersteller: Crouzet
vorrätig
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IMB7AT108

IMB7AT108

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
IMB9AT110

IMB9AT110

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IMB36654M8

IMB36654M8

Beschreibung: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Hersteller: Crouzet
vorrätig
IMB4AT110

IMB4AT110

Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
IMB36656C

IMB36656C

Beschreibung: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Hersteller: Crouzet
vorrätig
IMB36652C

IMB36652C

Beschreibung: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M

Hersteller: Crouzet
vorrätig
IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IMB36652M12

IMB36652M12

Beschreibung: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12

Hersteller: Crouzet
vorrätig
IMB35656M8

IMB35656M8

Beschreibung: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Hersteller: Crouzet
vorrätig
IMB36654C

IMB36654C

Beschreibung: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Hersteller: Crouzet
vorrätig
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
IMB36652M8

IMB36652M8

Beschreibung: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8

Hersteller: Crouzet
vorrätig
IMB36656M8

IMB36656M8

Beschreibung: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Hersteller: Crouzet
vorrätig
IMB36654M12

IMB36654M12

Beschreibung: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Hersteller: Crouzet
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden