IMB7AT108

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Spezifikation

Artikelnummer

IMB7AT108
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IMB7AT108.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-457
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

-
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-457
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-457
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "IMB7AT108" -Einziper.

IMB5AT108

Beschreibung: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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