DTC024EUBTL

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC024EUBTL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTC024EUBTL.pdf
2.DTC024EUBTL.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

UMT3F
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-85
Andere Namen

DTC024EUBTLTR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

60 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

30mA

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Das Folgende sind "DTC024EUBTL" -Einziper.

DTC043EMT2L

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC024EUBTL

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