DTC023EUBTL

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC023EUBTL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTC023EUBTL.pdf
2.DTC023EUBTL.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

UMT3F
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-85
Andere Namen

DTC023EUBTLCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

20 @ 20mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "DTC023EUBTL" -Einziper.

DTC014YUBTL

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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