Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > DTC043EMT2L
Online-Anfrage
Deutsch
4323050DTC043EMT2L-Bild.LAPIS Semiconductor

DTC043EMT2L

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
8000+
$0.032
16000+
$0.027
24000+
$0.025
56000+
$0.024
200000+
$0.021
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DTC043EMT2L
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    VMT3
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    4.7 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-723
  • Andere Namen
    DTC043EMT2LTR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    20 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
0791081057

0791081057

Beschreibung: CONN RCPT 2MM GOLD DL 16CKT

Hersteller: Affinity Medical Technologies - a Molex company
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden