Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > DTB143ECHZGT116
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1943902DTB143ECHZGT116-Bild.LAPIS Semiconductor

DTB143ECHZGT116

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.041
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DTB143ECHZGT116
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    -500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased + Diode
  • Supplier Device-Gehäuse
    SST3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    4.7 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DTB143ECHZGT116TR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    47 @ 50mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    500mA
DTB123TCT116

DTB123TCT116

Beschreibung: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB123ECT116

DTB123ECT116

Beschreibung: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB143ECT116

DTB143ECT116

Beschreibung: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB123YUT106

DTB123YUT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB123EKFRAT146

DTB123EKFRAT146

Beschreibung: 500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (W

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB123TKT146

DTB123TKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB513ZETL

DTB513ZETL

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB143ESTP

DTB143ESTP

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB240080UC-P5P-FL

DTB240080UC-P5P-FL

Beschreibung: BATT CHRGR LEAD-ACID 24V 0.8A

Hersteller: CUI, Inc.
vorrätig
DTB123YKT146

DTB123YKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB143EKT146

DTB143EKT146

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB143TKT146

DTB143TKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB123YCT116

DTB123YCT116

Beschreibung: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB143ECT216

DTB143ECT216

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 500MA SC59

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB240125UC-P5P-FL

DTB240125UC-P5P-FL

Beschreibung: BATT CHRGR LEAD-ACID 24V 1.25A

Hersteller: CUI, Inc.
vorrätig
DTB240150UC-P5P-FL

DTB240150UC-P5P-FL

Beschreibung: BATT CHRGR LEAD-ACID 24V 1.5A

Hersteller: CUI, Inc.
vorrätig
DTB513ZMT2L

DTB513ZMT2L

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB123EKT146

DTB123EKT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB123YCHZGT116

DTB123YCHZGT116

Beschreibung: PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
DTB123ESTP

DTB123ESTP

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden