DTB143ECT116

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Spezifikation

Artikelnummer

DTB143ECT116
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTB143ECT116.pdf
2.DTB143ECT116.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SST3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

DTB143ECT116DKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

47 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA

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Das Folgende sind "DTB143ECT116" -Einziper.

DTB143ECT216

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 500MA SC59

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTB143ECT116

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