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International Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT300N08S5N012ATMA2

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Spezifikation

Artikelnummer

IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IAUT300N08S5N012ATMA2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.8V @ 275µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-HSOF-8-1
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

375W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerSFN
Andere Namen

IAUT300N08S5N012
IAUT300N08S5N012ATMA2-ND
IAUT300N08S5N012ATMA2TR
IAUT300N08S5N012TR
IAUT300N08S5N012TR-ND
SP001585160
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16250pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

231nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

300A (Tc)

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Das Folgende sind "IAUT300N08S5N012ATMA2" -Einziper.

NTGS3433T1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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