International Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT150N10S5N035ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IAUT150N10S5N035ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

100V 150A 3.5MOHM TOLL
Bleifreier Status / RoHS Status

RoHS-konform
Datenblätte

IAUT150N10S5N035ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.8V @ 110µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-HSOF-8-1
Serie

OptiMOS™-5
RoHS-Status

RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)

166W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerSFN
Andere Namen

IAUT150N10S5N035
IAUT150N10S5N035ATMA1-ND
IAUT150N10S5N035ATMA1TR
IAUT150N10S5N035TR
IAUT150N10S5N035TR-ND
SP001416126
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6110pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 150A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

150A (Tc)

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Das Folgende sind "IAUT150N10S5N035ATMA1" -Einziper.

IPI65R190CFDXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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