International Rectifier (Infineon Technologies)

IAUT260N10S5N019ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IAUT260N10S5N019ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET_(75V,120V(
Bleifreier Status / RoHS Status

RoHS-konform
Datenblätte

IAUT260N10S5N019ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.8V @ 210µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-HSOF-8-1
Serie

OptiMOS™-5
RoHS-Status

RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerSFN
Andere Namen

IAUT260N10S5N019
IAUT260N10S5N019ATMA1-ND
IAUT260N10S5N019ATMA1TR
IAUT260N10S5N019TR
IAUT260N10S5N019TR-ND
SP001676336
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11830pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

166nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 260A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

260A (Tc)

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Das Folgende sind "IAUT260N10S5N019ATMA1" -Einziper.

BUK7616-55A,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 65.7A D2PAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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