IXTT110N10L2

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Spezifikation

Artikelnummer

IXTT110N10L2
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXTT110N10L2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-268
Serie

Linear L2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 55A, 10V
Verlustleistung (max)

600W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 110A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

110A (Tc)

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Das Folgende sind "IXTT110N10L2" -Einziper.

IXTT10P60

Beschreibung: MOSFET P-CH 600V 10A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTT110N10L2

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