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648858MURT10040-Bild.GeneSiC Semiconductor

MURT10040

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MURT10040
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.35V @ 50A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    90ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Andere Namen
    MURT10040GN
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array Standard 400V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    100A (DC)
MURS480ET3G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 4A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MURT10005R

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Beschreibung: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20005R

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Beschreibung: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20010

MURT20010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20020

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Beschreibung: DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20020R

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Beschreibung: DIODE MODULE 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10040R

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Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURT10060R

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Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURS3JB-TP

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Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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MURT20010R

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Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURT20005

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Beschreibung: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10020

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Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURS3G-TP

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Beschreibung: 3A,400V, SUPER FAST RECOVERY REC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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MURT10010

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Beschreibung: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURT20040

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Beschreibung: DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10010R

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Beschreibung: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURS3GB-TP

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Beschreibung:

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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MURT10020R

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Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURT10005

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Beschreibung: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10060

MURT10060

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig

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