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5252868MURS3JB-TP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

MURS3JB-TP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MURS3JB-TP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    3A,600V, SUPER FAST RECOVERY REC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AA (SMB)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    MURS3JB-TPMSDKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
MURT10010

MURT10010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10010R

MURT10010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10060

MURT10060

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURS360SHE3_A/H

MURS360SHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
MURS3G-TP

MURS3G-TP

Beschreibung: 3A,400V, SUPER FAST RECOVERY REC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
MURS360S-E3/5BT

MURS360S-E3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
MURS360SHE3/5BT

MURS360SHE3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
MURT10040R

MURT10040R

Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10020R

MURT10020R

Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURS360T3G

MURS360T3G

Beschreibung:

Hersteller: ONSEMI
vorrätig
MURS360S-M3/5BT

MURS360S-M3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
MURT10040

MURT10040

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURS3GB-TP

MURS3GB-TP

Beschreibung:

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
MURS360SHE3_A/I

MURS360SHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
MURT10005R

MURT10005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURS480ET3G

MURS480ET3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 4A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MURS360S-M3/52T

MURS360S-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
MURT10020

MURT10020

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10005

MURT10005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURS360SHE3/52T

MURS360SHE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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