SIS429DNT-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIS429DNT-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

SIS429DNT-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 10.5A, 10V
Verlustleistung (max)

27.8W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 20A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Tc)

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Das Folgende sind "SIS429DNT-T1-GE3" -Einziper.

SIS439DNT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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