SIS407ADN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIS407ADN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIS407ADN-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (max)

3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Andere Namen

SIS407ADN-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5875pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

168nC @ 8V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18A (Tc)

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Das Folgende sind "SIS407ADN-T1-GE3" -Einziper.

SIS106DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIS407ADN-T1-GE3

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