SIS439DNT-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

3000+

$0.339

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SIS439DNT-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIS439DNT-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8S
Andere Namen

SIS439DNT-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2135pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Wir haben langfristige Partnerschaften mit wichtigen globalen Logistikanbietern eingerichtet, die flexible und effiziente Versandlösungen anbieten, die auf Ihre einzigartigen Anforderungen zugeschnitten sind.Abhängig von der Größe, dem Gewicht und dem Ziel Ihrer Bestellung wählen wir den am besten geeigneten Versandunternehmen.Wir bieten auch Echtzeit-Logistikverfolgungsdienste an und ermöglichen es den Kunden, den Standort und den Status ihrer Waren jederzeit zu verstehen. Wenn Sie über bestimmte internationale Versandrouten oder einen bestimmten Spediteur verfügen, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam-wir berücksichtigen Ihre Anforderungen gerne.

Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "SIS439DNT-T1-GE3" -Einziper.

SIS434DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIS439DNT-T1-GE3

Online-Anfrage

Referenzpreis (in US-Dollar)

Siemens erwirbt EDA Software Developer Excellicon

SEMICON Southeast Asia 2025 Kicks Off in Singapore

Die fünf großen NAND -Hersteller haben die Produktion gle...

Qualcomm wird mit einer neuen benutzerdefinierten CPU zum C...

SK Siltrons erstes Quartalumsatz von SK Hynix Silicon Wafer...

IPhone -Lieferant TDK bereitet sich darauf vor, Batterien f...

Südkorea wird einen KI -spezifischen Supercomputer bauen, ...

AMD 、 Saudi -Arabien plant, 10 Milliarden US -Dollar für ...

Die US -Regierung erwägt, Hunderttausende von Chips an die...

Tariff Suspension Offers Adjustment Window for the Electron...

Samsung und große Kunden haben eine Vereinbarung über die...

Electronex 2025 Highlights: Powering the Next Wave of Innov...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache