SI7611DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7611DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7611DN-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 9.3A, 10V
Verlustleistung (max)

3.7W (Ta), 39W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Andere Namen

SI7611DN-T1-GE3TR
SI7611DNT1GE3
Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1980pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18A (Tc)

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Das Folgende sind "SI7611DN-T1-GE3" -Einziper.

SI7501DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7611DN-T1-GE3

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