SI7501DN-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7501DN-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7501DN-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 7.7A, 10V
Leistung - max

1.6W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8 Dual
Andere Namen

SI7501DN-T1-E3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel, Common Drain
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5.4A, 4.5A 1.6W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.4A, 4.5A
Basisteilenummer

SI7501

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Das Folgende sind "SI7501DN-T1-E3" -Einziper.

SI7491DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7501DN-T1-E3

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