SI7601DN-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI7601DN-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI7601DN-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8
Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Tc)

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Das Folgende sind "SI7601DN-T1-E3" -Einziper.

SI7601DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI7601DN-T1-E3

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