SI1912EDH-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1912EDH-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1912EDH-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

450mV @ 100µA (Min)
Supplier Device-Gehäuse

SC-70-6 (SOT-363)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Leistung - max

570mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

SI1912EDH-T1-E3TR
SI1912EDHT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.13A 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.13A
Basisteilenummer

SI1912

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Das Folgende sind "SI1912EDH-T1-E3" -Einziper.

SI1905DL-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI1912EDH-T1-E3

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