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SI1902CDL-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1902CDL-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1902CDL-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SC-70-6 (SOT-363)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

235 mOhm @ 1A, 4.5V
Leistung - max

420mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

SI1902CDL-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

27 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

62pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.1A 420mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.1A

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Das Folgende sind "SI1902CDL-T1-GE3" -Einziper.

SI1902DL-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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