SI1967DH-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1967DH-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1967DH-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SC-70-6 (SOT-363)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

490 mOhm @ 910mA, 4.5V
Leistung - max

1.25W
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

SI1967DH-T1-E3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 8V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.3A
Basisteilenummer

SI1967

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Das Folgende sind "SI1967DH-T1-E3" -Einziper.

SI1965DH-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI1967DH-T1-E3

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