SI1023CX-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1023CX-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1023CX-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SC-89-6
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

756 mOhm @ 350mA, 4.5V
Leistung - max

220mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

SI1023CX-T1-GE3-ND
SI1023CX-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 220mW Surface Mount SC-89-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

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Das Folgende sind "SI1023CX-T1-GE3" -Einziper.

SI1022R-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI1023CX-T1-GE3

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