Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > EPC2110ENGRT
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3938312EPC2110ENGRT-Bild.EPC

EPC2110ENGRT

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
2500+
$1.133
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    EPC2110ENGRT
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 700µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 4A, 5V
  • Leistung - max
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    917-EPC2110ENGRTR
    EPC2110ENGR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    80pF @ 60V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.8nC @ 5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • FET-Merkmal
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    120V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.4A
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Beschreibung: 200 V GAN IC FET DRIVER

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2LC20

EPC2LC20

Beschreibung: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Hersteller: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
vorrätig
EPC2110

EPC2110

Beschreibung: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Beschreibung: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2815

EPC2815

Beschreibung: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2111

EPC2111

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2801

EPC2801

Beschreibung: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2818

EPC2818

Beschreibung: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2105

EPC2105

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2107

EPC2107

Beschreibung: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2108

EPC2108

Beschreibung: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2106

EPC2106

Beschreibung: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2202

EPC2202

Beschreibung: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2203

EPC2203

Beschreibung: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden