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EPC2106

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EPC2106
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 600µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 2A, 5V
  • Leistung - max
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    917-1110-2
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    75pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.73nC @ 5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET-Merkmal
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1.7A
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2110

EPC2110

Beschreibung: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2104

EPC2104

Beschreibung: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2108

EPC2108

Beschreibung: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2103

EPC2103

Beschreibung: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Beschreibung: 200 V GAN IC FET DRIVER

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2107

EPC2107

Beschreibung: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2105

EPC2105

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2111

EPC2111

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
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