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EPC2110

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EPC2110
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 700µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 4A, 5V
  • Leistung - max
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    917-1152-1
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    80pF @ 60V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.8nC @ 5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET-Merkmal
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    120V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3.4A
EPC2818

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EPC2105ENG

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Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
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