DMN67D8LDW-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN67D8LDW-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN67D8LDW-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SOT-363
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V
Leistung - max

320mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.82nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 320mW Surface Mount SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

230mA

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Das Folgende sind "DMN67D8LDW-13" -Einziper.

DMN7022LFGQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN67D8LDW-13

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