DMN90H2D2HCTI

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN90H2D2HCTI
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN90H2D2HCTI.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ITO-220AB
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

40W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Andere Namen

DMN90H2D2HCTI-ND
DMN90H2D2HCTIDI
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

Not Applicable
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1487pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

900V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 900V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Tc)

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Das Folgende sind "DMN90H2D2HCTI" -Einziper.

SIT1618AEU3-28N

Beschreibung: OSC MEMS

Hersteller: SiTime

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RFQ

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Stal***e

2025/05/20

5.0

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