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DMN66D0LDW-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN66D0LDW-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN66D0LDW-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SOT-363
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 115mA, 10V
Leistung - max

250mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

DMN66D0LDWDIDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 250mW Surface Mount SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

115mA
Basisteilenummer

DMN66D0LDW

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Das Folgende sind "DMN66D0LDW-7" -Einziper.

DMN63D8LW-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN66D0LDW-7

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