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3458121DMN3052LSS-13-Bild.Diodes Incorporated

DMN3052LSS-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN3052LSS-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN3052LSS-13.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 7.1A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    1034-DMN3052LSSDIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    555pF @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 7.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7.1A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3052LSS-13" -Einziper.
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3042L-7

DMN3042L-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3042LFDF-13

DMN3042LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3050S-7

DMN3050S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
RFQ
DMN3042LFDF-7

DMN3042LFDF-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3052L-7

DMN3052L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3051LDM-7

DMN3051LDM-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3051L-7

DMN3051L-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3053L-13

DMN3053L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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