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842067DMN3055LFDB-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN3055LFDB-7

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5000+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN3055LFDB-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN3055LFDB-7.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 3A, 4.5V
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-UDFN Exposed Pad
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    458pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.3nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 5A (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3055LFDB-7" -Einziper.
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3051LDM-7

DMN3051LDM-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3050S-7

DMN3050S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3052L-7

DMN3052L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

Beschreibung:

Hersteller: DIODES
vorrätig
RFQ
DMN3053L-13

DMN3053L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3051L-7

DMN3051L-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3042LFDF-13

DMN3042LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3042LFDF-7

DMN3042LFDF-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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