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DMN3035LWN-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3035LWN-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3035LWN-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

V-DFN3020-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 4.8A, 10V
Leistung - max

770mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

DMN3035LWN-7DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

399pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.9nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 770mW Surface Mount V-DFN3020-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.5A

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Das Folgende sind "DMN3035LWN-7" -Einziper.

DMN3050S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated

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