DMN3032LFDB-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN3032LFDB-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN3032LFDB-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

U-DFN2020-6 (Type B)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 5.8A, 10V
Leistung - max

1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen

DMN3032LFDB-7-ND
DMN3032LFDB-7DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.6nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.2A

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Das Folgende sind "DMN3032LFDB-7" -Einziper.

DMN3033LSNQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3032LFDB-7

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