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DDTA114WE-7-F

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Spezifikation

Artikelnummer

DDTA114WE-7-F
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DDTA114WE-7-F.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SOT-523
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-523
Andere Namen

DDTA114WE-7-FDICT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

24 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "DDTA114WE-7-F" -Einziper.

DDTA114WUA-7-F

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

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DDTA114WE-7-F

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