CY7C1512AV18-200BZI

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Spezifikation

Artikelnummer

CY7C1512AV18-200BZI
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

CY7C1512AV18-200BZI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II
Supplier Device-Gehäuse

165-FBGA (15x17)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

165-LBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

72Mb (4M x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mb (4M x 18) Parallel 200MHz 165-FBGA (15x17)
Uhrfrequenz

200MHz
Basisteilenummer

CY7C1512

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Das Folgende sind "CY7C1512AV18-200BZI" -Einziper.

CY7C1512AV18-250BZC

Beschreibung: IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor

vorrätig

CY7C1512AV18-200BZI

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