CY14B116M-BZ45XI

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Spezifikation

Artikelnummer

CY14B116M-BZ45XI
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

CY14B116M-BZ45XI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

45ns
Spannungsversorgung

2.7 V ~ 3.6 V
Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Supplier Device-Gehäuse

165-FBGA (15x17)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

165-LBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

NVSRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

9 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 45ns 165-FBGA (15x17)
Zugriffszeit

45ns

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Das Folgende sind "CY14B116M-BZ45XI" -Einziper.

CY14B108N-ZSP45XI

Beschreibung: IC NVSRAM 8M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor

vorrätig

CY14B116M-BZ45XI

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