CY14B108N-BA25XI

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Spezifikation

Artikelnummer

CY14B108N-BA25XI
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC NVSRAM 8M PARALLEL 48FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

CY14B108N-BA25XI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

25ns
Spannungsversorgung

2.7 V ~ 3.6 V
Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Supplier Device-Gehäuse

48-FBGA (6x10)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

48-TFBGA
Andere Namen

428-3281
CY14B108N-BA25XI-ND
CY14B108NBA25XI
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

8Mb (512K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

NVSRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 25ns 48-FBGA (6x10)
Basisteilenummer

CY14B108
Zugriffszeit

25ns

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Das Folgende sind "CY14B108N-BA25XI" -Einziper.

CY14B108M-ZSP45XIT

Beschreibung: IC NVSRAM 8M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Cypress Semiconductor

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