AS4C512M16D3L-12BINTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C512M16D3L-12BINTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

AS4C512M16D3L-12BINTR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.283 V ~ 1.45 V
Technologie

SDRAM - DDR3L
Supplier Device-Gehäuse

96-FBGA (14x9)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

96-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel 800MHz 13.75ns 96-FBGA (14x9)
Uhrfrequenz

800MHz
Zugriffszeit

13.75ns

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Das Folgende sind "AS4C512M16D3L-12BINTR" -Einziper.

AS4C4M32SA-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C512M16D3L-12BINTR

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