AS4C4M32SA-6TIN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C4M32SA-6TIN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C4M32SA-6TIN.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

2ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

86-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Andere Namen

1450-1293
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 86-TSOP II
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "AS4C4M32SA-6TIN" -Einziper.

AS4C4M32S-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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