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NTUD3129PT5G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTUD3129PT5G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 0.14A SOT-963
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTUD3129PT5G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SOT-963
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Leistung - max

125mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-963
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 140mA 125mW Surface Mount SOT-963
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

140mA

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTUD3129PT5G" -Einziper.

SQJ942EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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