NTUD3170NZT5G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTUD3170NZT5G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTUD3170NZT5G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SOT-963
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Leistung - max

125mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-963
Andere Namen

NTUD3170NZT5G-ND
NTUD3170NZT5GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.5pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 220mA 125mW Surface Mount SOT-963
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

220mA
Basisteilenummer

NTUD3170NZ

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTUD3170NZT5G" -Einziper.

SMA5125

Beschreibung: MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.

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