NTNS3190NZT5G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTNS3190NZT5G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTNS3190NZT5G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

3-XLLGA (0.62x0.62)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 100mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

120mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

3-XFDFN
Andere Namen

NTNS3190NZT5GOSDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

5 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15.8pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 224mA (Ta) 120mW (Ta) Surface Mount 3-XLLGA (0.62x0.62)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

224mA (Ta)

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2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NTNS3190NZT5G" -Einziper.

NTNS3A67PZT5G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V SOT883

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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