NTNS3A91PZT5G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTNS3A91PZT5G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 0.223A XLLGA3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTNS3A91PZT5G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

3-XLLGA (0.62x0.62)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 Ohm @ 100mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

121mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

3-XFLGA
Andere Namen

NTNS3A91PZT5GOSCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

41pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 223mA (Ta) 121mW (Ta) Surface Mount 3-XLLGA (0.62x0.62)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

223mA (Ta)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTNS3A91PZT5G" -Einziper.

IRF9530NSTRRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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