STB80NF55-08-1

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Spezifikation

Artikelnummer

STB80NF55-08-1
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

STB80NF55-08-1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I2PAK
Serie

STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

497-3516-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Das Folgende sind "STB80NF55-08-1" -Einziper.

STB85NF55T4

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

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