NJVMJD31CT4G-VF01

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Spezifikation

Artikelnummer

NJVMJD31CT4G-VF01
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN 100V 3A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NJVMJD31CT4G-VF01.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

100V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

-
Leistung - max

1.56W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

NJVMJD31CT4G
NJVMJD31CT4G-ND
NJVMJD31CT4G-VF01OSTR
NJVMJD31CT4GOSTR
NJVMJD31CT4GOSTR-ND
Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

3MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

25 @ 1A, 4V
Strom - Collector Cutoff (Max)

50µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

3A
Basisteilenummer

MJD31

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NJVMJD31CT4G-VF01" -Einziper.

NJVMJD340T4G-VF01

Beschreibung: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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