NJVMJD128T4G

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Spezifikation

Artikelnummer

NJVMJD128T4G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NJVMJD128T4G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

120V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 80mA, 8A
Transistor-Typ

PNP - Darlington
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

-
Leistung - max

1.75W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

NJVMJD128T4GOSCT
Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

2 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 8A 1.75W Surface Mount DPAK
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

1000 @ 4A, 4V
Strom - Collector Cutoff (Max)

5mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

8A

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NJVMJD128T4G" -Einziper.

NJVMJB45H11T4G

Beschreibung: TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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