NJVMJD243T4G

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Spezifikation

Artikelnummer

NJVMJD243T4G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NJVMJD243T4G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

100V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

-
Leistung - max

1.4W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

NJVMJD243T4GOSCT
Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

40MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 4A 40MHz 1.4W Surface Mount DPAK
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

40 @ 200mA, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

4A
Basisteilenummer

MJD243

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

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NJVMJD127T4G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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