W979H6KBVX2I TR

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Spezifikation

Artikelnummer

W979H6KBVX2I TR
Hersteller / Marke

Winbond Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

W979H6KBVX2I TR.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.14 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2
Supplier Device-Gehäuse

134-VFBGA (10x11.5)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

134-VFBGA
Andere Namen

W979H6KBVX2I TR-ND
W979H6KBVX2ITR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Uhrfrequenz

400MHz

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Das Folgende sind "W979H6KBVX2I TR" -Einziper.

W97AH6KBVX2I TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation

vorrätig

W979H6KBVX2I TR

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