VS-1N1183RA

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Spezifikation

Artikelnummer

VS-1N1183RA
Hersteller / Marke

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

VS-1N1183RA.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Spitzensperr- (max)

Standard
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

40A
Spannung - Durchschlag

DO-203AB
Serie

-
RoHS Status

Bulk
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F

-
Polarisation

DO-203AB, DO-5, Stud
Andere Namen

*1N1183RA
1N1183RA
1N1183RA-ND
Befestigungsart

Chassis, Stud Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Hersteller-Teilenummer

VS-1N1183RA
Expanded Beschreibung

Diode Standard 50V 40A Chassis, Stud Mount DO-203AB
Diodenkonfiguration

2.5mA @ 50V
Beschreibung

DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

1.3V @ 126A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

50V
Kapazität @ Vr, F

-65°C ~ 200°C

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Das Folgende sind "VS-1N1183RA" -Einziper.

VS-1N1186R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

VS-1N1183RA

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